刻蚀工艺是微纳制造中的关键步骤，用于选择性地去除材料，以形成微细结构和图案。在MEMS和半导体加工领域，常用的蚀刻工艺主要分为两种：干法蚀刻和湿法蚀刻。两者在设备、工艺流程、材料选择和应用效果上存在显著差异。本文将详细对比这两种刻蚀工艺的优缺点，分析它们在不同应用场景中的具体选择，以帮助工程师根据项目需求优化加工流

氮化硅、氧化硅和石墨烯分别以其独特的性能在微纳加工领域发挥着重要作用，推动了器件性能的提升和设计可能性的扩展。氮化硅凭借强度和稳定性在MEMS器件和保护层中展现出色的表现；氧化硅因其绝缘特性成为半导体器件的关键材料；而石墨烯凭借其卓越的电学和机械性能，展现出对电子、传感器和柔性设备的颠覆性潜力。

在MEMS（微机电系统）制造工艺中，光刻胶（Photoresist）的选择与使用是至关重要的一环，直接影响光刻过程的成功与否。光刻胶用于定义微结构图形，作为掩模保护层在随后的刻蚀或镀膜步骤中起到屏蔽作用。为了确保图形的精确度和制造的成功，选择合适的光刻胶并优化其使用工艺是必不可少的。在这篇文章中，我们来讨论光刻胶使用的关键步骤。

在MEMS（微机电系统）制造工艺中，光刻胶（Photoresist）的选择与使用是至关重要的一环，直接影响光刻过程的成功与否。光刻胶用于定义微结构图形，作为掩模保护层在随后的刻蚀或镀膜步骤中起到屏蔽作用。为了确保图形的精确度和制造的成功，选择合适的光刻胶并优化其使用工艺是必不可少的。我们将分上下两篇文章来介绍选择和使用光刻胶的主

在MEMS（微机电系统）工艺中，粘附层的选择至关重要，直接影响到膜层的质量、稳定性和器件性能。粘附层（adhesion layer）通常用于改善不同材料之间的结合力，确保后续沉积的薄膜能牢固地附着在基底材料上，防止脱落、开裂或其他失效问题。

在微纳加工技术中，镀膜工艺是实现功能性器件的核心步骤之一，广泛应用于半导体、光电子、MEMS等高科技领域。根据不同的厚度需求，镀膜工艺可以分为薄膜与厚膜，它们在技术特点、应用领域和加工方式上有着显著的差异。了解这些差异，有助于企业根据实际需求选择最合适的工艺方案，提升产品性能和竞争力。