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光刻工艺

超10年MEMS工艺经验团队主导

  • 工艺介绍

    Process introduction

    光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。原位芯片目前掌握电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术。

  • 技术应用

    Technical application

    光刻技术主要应用于半导体器件,集成电路制造过程中。

  • 应用材料

    Application materials

    硅片,玻璃,蓝宝石,柔性材料等

  • 工艺能力

    Process capability

    电子束光刻(EBL):最小线宽50nm,精度可达10%。

    步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um。

    接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um

    紫外光刻、无掩模光刻、双面光刻,对准套刻

    尺寸:8’、6’ 、4’ 、2’以及不规则小片

  • 个性定制

    按需定制最具性价比光刻方案

  • 精度线宽

    精度高,线宽小

  • 尺寸范围

    衬底尺寸范围1cm至6英寸

  • 保真度高

    图形保真度高

  • 案例展示

    设计经验丰富 加工周期短 效率高

    选择我们的4大优势

    专业为企业提供芯片设计与研发

  • 代工种类全

    代工种类齐全,质量佳

  • 全程把控

    1对1代工服务,为客户层层把关

  • 快速响应

    24小时响应,按计划交付

  • 严格保密

    签订保密协议,代工安全放心

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