MEMS代工--光刻加工是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构，再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。原位芯片目前掌握电子束光刻，步进式光刻，接触式光刻等多种光刻技术。

光刻技术主要应用于半导体器件、光刻版加工、集成电路制造过程中。

硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料、GaAs等

电子束光刻加工（EBL）：最小线宽50nm,精度可达10%。

步进式光刻加工：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，曝光误差±0.1um。

接触、接近式光刻加工：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，曝光误差±0.5um

紫外光刻加工、无掩模光刻加工、双面光刻加工，对准套刻

尺寸：8’、6’ 、4’ 、2’以及不规则小片