高精度硅基掩膜版

超10年MEMS工艺经验团队主导

工艺介绍

Process introduction

高精度的硅基掩膜版是通过微纳加工中常用的刻蚀的方法，在硅基底上刻蚀出高精度的镂空掩膜图案，常被用于二维材料电学，光电等性质的研究。原位芯片通过将高精度的硅基掩膜版覆盖在薄膜材料表面并暴露出电极图案部分沉积金属制备金属电极。

产品应用

Product application

科研人员研究二维材料的电学，光电等性质时一般使用硅基掩膜版来制备高精度的二维材料金属电极。

工艺能力

Process capability

最小线宽2um

非镂空图案部分最薄200um

镂空图案部分最薄20um

掩膜图形可定制

掩膜图形可根据需求个性定制

精度高

案例展示

设计经验丰富加工周期短效率高

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