在半导体芯片制造的数百道工序中，光刻与刻蚀作为图形化转移的核心步骤，共同决定了芯片的最小特征尺寸、集成密度与最终性能。尽管两者常被同时提及，但它们在原理、功能与技术上存在本质区别。本文将从技术原理、工艺步骤、设备类型、应用场景等多维度，系统剖析这两大关键工艺的差异与协同关系。

随着半导体工艺节点不断逼近物理极限，三维集成与先进封装成为延续摩尔定律的重要路径。其中，硅片盲孔阵列加工技术作为晶圆级封装、2.5D/3D堆叠的核心工艺，正推动着高性能计算、人工智能芯片、内存立方体等前沿领域的发展。本文将从技术原理、工艺挑战、市场应用及未来趋势等方面，全面解析这一关键技术。

在半导体制造中，光刻掩模版（Photomask） 是决定芯片精度和性能的核心工具。随着制程从 7nm 迈向 3nm 甚至更先进的节点，掩模版技术也在不断进化。本文将深入解析掩模版的制作流程、关键技术及行业趋势，帮助您全面了解芯片微缩背后的核心技术。

刻蚀工艺是微纳制造中的关键步骤，用于选择性地去除材料，以形成微细结构和图案。在MEMS和半导体加工领域，常用的刻蚀工艺主要分为两种：干法刻蚀和湿法刻蚀。两者在设备、工艺流程、材料选择和应用效果上存在显著差异。本文将详细对比这两种刻蚀工艺的优缺点，分析它们在不同应用场景中的具体选择，以帮助工程师根据项目需求优化加工流

微纳加工是一种高度精密的制造技术，用于制造微小尺寸的结构和器件，通常在微米（百万分之一米）和纳米（十亿分之一米）尺度范围内。这种技术在许多领域中都有应用，包括电子、光学、生物医学、纳米技术和材料科学等。

在半导体、生物医疗、新能源等前沿领域，“微纳加工”正成为高频热词。这项以“微米（10⁻⁶米）至纳米（10⁻⁹米）尺度”为核心的精密制造技术，如何突破传统工艺极限？它又如何推动芯片、传感器、量子器件等领域的革新？本文将从技术原理、核心工艺、应用场景及行业趋势四大维度深度解析，助您快速掌握微纳加工的关键价值与SEO关注热点。