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刻蚀工艺

超10年MEMS工艺经验团队主导

  • 工艺介绍

    Process introduction

    刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺,并会根据客户的需求,设计刻蚀效果好且性价比高的刻蚀解决方案。

  • 技术应用

    Technical application

    刻蚀技术主要应用于半导体器件,集成电路制造,薄膜电路,印刷电路和其他微细图形的加工等。

  • 工艺能力

    Process capability

    刻蚀技术:

    离子束刻蚀(IBE)、深硅刻蚀(DRIE)、反应离子刻蚀(RIE)、聚焦离子束刻蚀(FIB)、电感耦合(ICP)等离子刻蚀

  • 刻蚀材料

    Etching material

    硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料

  • 掌握多种技术

    掌握多种刻蚀技术

  • 材料范围广

    刻蚀材料范围广

  • 刻蚀深宽比大

    深硅刻蚀最大深宽比20:1

  • 精度高,线宽小

    刻蚀精度高,线宽小

  • 案例展示

    设计经验丰富 加工周期短 效率高

    选择我们的4大优势

    专业为企业提供芯片设计与研发

  • 代工种类全

    代工种类齐全,质量佳

  • 全程把控

    1对1代工服务,为客户层层把关

  • 快速响应

    24小时响应,按计划交付

  • 严格保密

    签订保密协议,代工安全放心

  • 他们一直选择原位芯片

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