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TSV通孔

超10年MEMS工艺经验团队主导

  • 工艺介绍

    Process introduction

    TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。原位芯片掌握TSV最新技术,能够帮助客户完成TSV个性化要求。

  • 技术应用

    Technical application

    TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一,目前已经广泛应用于MEMS器件,存储器,图像传感器,功率放大器,生物应用设备和多种手机芯片。

  • 工艺能力

    Process capability

    通孔直径: 20-30um

    深宽比:10:1

    通孔材料:铜,金

    通孔状态:实心孔,空心孔

  • 图形可定制

    图形可根据需求个性定制

  • 通孔良率高

    通孔良率高

  • 可批量生产

    可批量生产

  • 工艺技术成熟

    多年经验,工艺技术成熟

  • 案例展示

    设计经验丰富 加工周期短 效率高

    选择我们的4大优势

    专业为企业提供芯片设计与研发

  • 代工种类全

    代工种类齐全,质量佳

  • 全程把控

    1对1代工服务,为客户层层把关

  • 快速响应

    24小时响应,按计划交付

  • 严格保密

    签订保密协议,代工安全放心

  • 他们一直选择原位芯片

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