离子注入是一种元素的离子被加速进入固体目标，从而改变目标的物理、化学或电学特性。离子注入是迄今为止将掺杂剂原子引入硅衬底的最重要的方式，也是这里讨论的唯一方法。

离子注入用于半导体器件制造掺杂硅的主要手段是离子注入、气源掺杂和固体源掺杂和金属精加工，以及材料科学研究。

注入材料：硼、磷、氟、铝、氮、氩、镁、硅等元素；

注入角度：±11°；

晶圆尺寸：6寸及其以下兼容；

高温氧化、高温扩散、快速退火