一文看懂微米与纳米的概念、实际大小、相互关系，以及它们在微纳加工和现代科技中的意义，用直观的对比与生动的例子，带你认识这些“微观世界”的基本尺度单位。

在当今高度信息化的时代，芯片（集成电路）作为各类电子设备的“大脑”，几乎无处不在——从智能手机、电脑，到汽车、人工智能设备，再到航天与国防系统，都依赖于芯片的强大计算与控制能力。然而，一枚指甲盖大小的芯片，内部却集成了数十亿甚至上百亿个晶体管，这些微小的电子元件是如何被精准地制造在硅片上的呢？答案就离不开一项关键技术 —

多晶硅薄膜（Polycrystalline Silicon Thin Film） 是由大量随机取向的微小晶粒组成的硅薄膜材料，其晶粒尺寸通常在纳米到微米量级，晶界（grain boundary）密集分布。由于其良好的电学性能、光学可调性、机械稳定性和与硅基工艺的兼容性，多晶硅薄膜被广泛应用于薄膜晶体管（TFT）、太阳能电池、微机电系统（MEMS）、光电探测器、柔性电子等微纳

在现代光学、光电子、激光、显示及精密仪器等领域中，光学镀膜技术扮演着至关重要的角色。通过精确控制材料在光学元件表面的沉积，可以改变光线与光学元件之间的相互作用，实现对光的反射、透射、吸收、偏振、分光等行为的调控。无论是我们日常使用的眼镜镜片、相机镜头、手机屏幕，还是高端的激光器镜片、光学滤波片、天文望远镜镜

在微纳加工和半导体制造领域，薄膜沉积技术是构建器件功能层不可或缺的关键工艺之一。其中，LPCVD（低压化学气相沉积） 和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积） 是两种常见且重要的化学气相沉积技术，广泛应用于绝缘层、保护层、半导体薄膜等功能材料的制备。尽管两者都属于“化学气相沉积”这一大类，但它们在工作原理、工艺参数、薄膜特性

晶圆刻蚀是半导体制造核心工艺，用于在晶圆表面精准去除材料以形成微纳结构，其历史发展与半导体技术进步紧密相连。