微纳加工：准分子烧蚀和Deca技术

微纳加工中光刻工艺的加工需求还是占比比较大，除常规光刻工艺，国外有研究准分子技术。准分子激光烧蚀是利用高功率紫外（UV）准分子激光源的特性直接去除材料。典型的波长是308nm、248nm和193nm。准分子烧蚀瞬间将相容的目标材料（即聚合物、有机电介质）从固态转化为气态和副产物（即亚微米干碳颗粒），从而产生很少甚至没有热影响区以及更少的碎片。通过使用该技术，专注于晶圆级工艺。

最值得注意的两个问题是：（1）新的大视场、高NA投影物镜，可在生产中实现2μm的line/space；（2）双激光版本，可实现更大的扫描光束，从而显著提高产出量并降低购入成本。一种叫做激光烧蚀的干法图案化工艺。Suss的准分子烧蚀步进式曝光机结合了基于掩模版的图案化烧蚀。可以实现3μm的line/space，而2-2μm也在进展中。Deca的技术包括四个模块的工艺流程——晶圆准备、拼板、扇出和检查。它支持研发具有更精细的RDL的5-5μm多层扇出型封装。

在晶圆准备过程中，可在芯片上电镀铜。然后，在拼板步骤中，使用高速系统以每小时28000颗芯片的速度将芯片放置在重构晶圆中。相比之下，传统的芯片贴装系统每小时只能完成2000多颗芯片。然后，通过使用检查技术来测量晶圆上每个芯片的实际位置。芯片测量检查是拼板加工过程中的最后一步，用于制造过程中每个拼板的实时设计。之后，RDL以芯片先装/面朝下的流程开发。在曝光步骤期间，系统重新计算RDL图案以适应每片晶圆中的每颗芯片偏移。这个过程只需要28秒。总产出量为每小时120片晶圆。

自适应图案化是一种系统，旨在自动补偿制造过程中的自然变量，而不是专注于消除所有变量。在典型的应用中，通过芯片贴装、注塑和其它工艺步骤，允许芯片在‘X’轴和‘Y’轴上的变量高达60μm。自适应图案化通过制造中的实时设计自动消除了97%的变量，实现了2μm以下的有效互连公差。目前我们正在开发中的下一代自适应图案化技术将支持2μm的特性，尺寸将缩小为0.8μm。

显然，用于封装的创新光刻解决方案并不缺乏。但是要突破1-1μm还需要继续努力。即使业内人士都知道这一点，但也必须满足客户苛刻的成本要求。这些因素都会让这个行业忙碌一段时间。