微纳加工：扇出型封装面临哪些光刻技术的挑战？

封装是MEMS的最后一步，优秀的微纳加工企业也是可以胜任封装这个环节。对于先进的封装技术，大部分都是移动应用。对于高端设备、高精密度的封装，扇出型封装则当之无愧！然而，这就需要更先进的光刻设备满足需求。

微纳加工获知：突破1µm线宽/间距限制的扇出型封装技术具有里程碑的意义。扇出型技术可以突破1µm的壁垒，协助少数有需求的客户完成先进的封装技术。扇出型封装的关键部分是在重布线层，RDL是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属布线图形，来对芯片的I/O端口进行重新布局，将其布置到新的、节距占位可更为宽松的区域。RDL采用线宽和间距来度量，线宽和间距分别是指金属布线的宽度和它们之间的距离。

扇出型技术可分成两类：低密度和高密度。低密度扇出型封装由大于8μm的line/space（8-8μm）的RDL组成。高密度扇出型封装有多层RDL，CD在8-8μm及以下，主要应用于服务器和智能手机。一般来说，5-5μm是主流的高密度技术，1-1μm及以下目前还在研发中。

成本是许多封装厂需要考虑的因素。因为并非所有客户都需要高密度扇出型封装。挑战性（非常小）CD的扇出技术相对昂贵，仅限于高端客户。好消息是，除了高密度扇出型封装之外，还有其它大量低成本的封装技术可供选择。