微纳加工：芯片偏移应对方法

微纳加工中涉及光刻技术对加工团队的工艺能力有一定的考验。我们知道当芯片嵌入重构晶圆中时，它们会随着制程发生移动，造成芯片偏移，从而影响良率。在光刻中，芯片偏移是一种常见的现象。科研人员通过开发更好的光刻设备，来弥补芯片的偏移。

微纳加工研究人员认为，有两种方法可以解决偏移的问题。第一，从光刻角度是可以多次修改、调整晶圆上的刻度、可调整放大率等。可以通过放置和对准芯片的技术来实现。第二，可以采用更高端的设备来解决这个问题。芯片偏移仍然是所有扇出技术持续存在的挑战。另一挑战是制备RDL。随着扇出型封装不断向1-1μm及以下发展，挑战越来越大。目前能解决此问题的诀窍是以高良率制备更精细的RDL。

在步进式曝光机中使用“仅i-line”模式，显示分辨率为1-1μm。步进式曝光机具有可变数值孔径（numerical aperture，NA）物镜和1X掩模板。领先的1µm先进封装工艺需要使用化学放大原理的光刻胶，由于其光致酸产生剂的特性，仅对i-line波长敏感。因此，它需要i-line曝光光源来实现小于1µm的分辨率。简而言之，传统的RDL工艺是突破1-1μm的潜在障碍。在这一点上的转变，将是行业面临的真正挑战。