光刻加工化合物半导体制造中的电子束光刻

用于光学光刻加工中亚100 nm结构化的典型技术需要特殊的高度复杂的工艺，例如光学邻近校正(OPC)结构或多图案化。这些工艺建立在硅材料中，主要用于12英寸硅衬底的大批量制造。在2寸至6寸的晶圆等较小的基板上，特别是对于具有亚100nm特征的化合物半导体器件，先进的电子束光刻(EBL)在开发和制造中起着关键作用。

科研人员指出，最先进的EBL系统具有出色的高分辨率和精确的图案放置能力，可实现高晶圆级良率。EBL系统与高端激光平台相结合，可满足大面积混合匹配图案化工艺中工艺均匀性和放置精度的系统稳定性要求。此外，基于无掩模光刻加工的性质，EBL系统是设备开发中快速原型制作和实验曝光广泛设计的理想工具。

光刻加工 电子束光刻 2指晶体管 图片源自Raith

那么什么是化合物半导体器件呢？

化合物半导体砷化镓GaAs、氮化镓GaN、碳化硅SiC等化合物形成。多年来，化合物半导体在推动高频、高功率、光子学和传感器设备等领域的创新电子产品方面发挥了关键作用。在工业中使用化合物半导体的一个主要动机是它们在热、光学和电学特性方面比硅更优越的材料特性。此外，通过利用多种不同的化合物半导体材料或什至特定材料系统内的不同成分，可以针对特定的器件性能参数定制这些特性。

应用分子束外延和气相外延等先进的晶体生长方法来生长高纯度晶体层，并结合不同化合物半导体材料的复杂层堆叠。由此产生的异质结构包括量子阱和超晶格，为创新设备的先进带隙工程提供了很好的的机会。

原位芯片已为高校、科研机构提供砷化镓GaAs光刻加工服务，并发表相关论文。