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如何避免纳米光刻加工中拼接错误?

发布时间:2021-10-01 09:43:47

光刻工艺工程师知道,拼接错误是纳米光刻加工中常见且非常重要的问题。由纳米光刻写入的图案通常大于写入场(WF)的大小,而写入场(WF) 可以在不移动平台的情况下通过电子或离子束曝光。这通常为(100 µm)² 或数百个数量级。如果图案设计超过最大值。特定应用程序的适用WF尺寸,因此设计被分解为对应于所需WF尺寸的多个子图案,随后按顺序暴露。

 

纳米光刻加工在一个区域的写入过程完成后,光束因此被消隐,纳米光刻加工的阶段继续进行,以便在下一个写入场继续写入过程。这种移动需要绝对精确,以防止在写入字段的边界出现拼接错误。所以,光刻加工设备/系统的重要性不言而喻。

  

是否有一种完全避免拼接错误的解决方案?答案是有的,优质的设备供应商会优先考虑很多问题,然后用设备去解决这些问题。光刻加工系统配备了最高精度的激光干涉仪平台,该平台已经将拼接误差最小化到几个个位数纳米,这对于许多应用来说已经足够了。然而,在某些应用(例如波导)中,即使是缝合场边界处最微小的扭结也会导致器件性能的显着下降。

像它Raith就采用两种无拼接曝光技术的形式:traxx和periodixx。

 微环谐振器结构.jpg

微环谐振器结构 图片源自G. Piaszenski,Raith GmbH

 

 

TRAXX -不使用FBMS技术拼接错误ontinuous写作

traxx是一种基于固定光束移动平台 (FBMS) 曝光技术的独特功能,采用“零拼接错误”方法。traxx 专用于Raith 电子束光刻和FIB 系统,任何其他矢量扫描EBL系统均不提供。与传统的拼接曝光不同,traxx 使用独特的连续写入模式利用复杂的FBMS 。光束保持静止,而下方的舞台遵循所需图案的任意形状路径。

 

图案可以是几毫米到几厘米长,同时保持横向尺寸从低于 20 纳米到几微米,并且线边缘粗糙度最小。这种独特的连续写入模式完全避免了拼接错误,因此可以提高光子器件的质量和传输,例如(锥形)波导和 X 射线光学器件。

 

原位芯片为高校、科研机构提供光刻加工服务,我们十分愿意向优秀的行业领导者学习,不断提升自己的工艺能力,了解更多行业信息,提供高效的代工服务。

 

资源整合于网络,光刻设备内容用于分享参考,非广告宣传

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