计算光刻的概念

光刻工艺工程师知道在光刻加工中，光刻期间，光的衍射以及光敏层中的物理和化学效应会使机器试图打印的图像变形（将此视为尝试用宽大的水彩画笔绘制细线 - 它在许多地方）。如果使用算法不常的光刻设备，这些问题应该可以得到很好的解决。

像阿斯麦尔的“计算光刻”这一创新，就对产品可实现准确的光刻模拟，有助于提高芯片良率和质量。据他们所说，他们开发了计算光刻技术作为我们 ASML 产品组合的一部分，以提供客户在纳米级工作时所需的产量和性能。如果没有计算光刻，芯片制造商就不可能制造出最新的技术节点。计算光刻技术优化了扫描仪、掩模和工艺，以提高设备的可制造性和良率，无论是在设计和技术开发的早期，还是后期的大批量生产。

 光刻加工 计算光刻 图片源自阿斯麦尔

光刻加工中随着 130 nm 技术的引入，解决这些变形对于防止缺陷变得至关重要。随着芯片制造商继续缩小模式以制造更小、更强大的芯片，问题和复杂性不断升级，需要更复杂的方法。计算光刻使用制造过程的算法模型，并使用来自机器和测试晶片的关键数据进行校准。这些模型用于通过有意地使图案变形以补偿光刻和图案化过程中发生的物理和化学效应来优化所需最终结果的掩模或蓝图。最终结果：最终得到了晶圆上所需芯片图案的准确复制品。

我们也可以了解到，阿斯麦尔在看待芯片设计能力的不同点。他们认为芯片设计看做“上游”，制造放在下游。设计决定制造。计算光刻技术不仅有助于世界半导体设备的持续扩展，而且有助于提高我们机器的性能。

光刻加工只是一小部分，计算光刻将继续在提高我们机器的成像性能方面发挥不可或缺的作用，使我们能够继续推动摩尔定律向前发展。随着技术的进步和晶圆图案的缩小，我们对模型精度的要求也在增加。今天在大批量制造中，阿斯麦尔将特征成像低至单纳米级别，具有（对于简单的一维特征）亚纳米精度要求。