微纳加工
光刻加工的工艺步骤中,掩模是在对齐/对准步骤中出现。涉及的设备就是掩模光刻机。掩模对准主要用于曝光光可限定的材料。设备允许使用 4” 面罩、5” 面罩、7” 面罩、透明胶片、遮罩或只是泛光曝光。
光刻加工设备 掩膜对准光刻机 图片源自网络
掩模设备的能力:薄抗蚀剂中的最小特征尺寸分辨率为 2 µm;宽高比 1:3 相当标准;基板厚度可能为 200 µm 至 4 mm
硬件细节:宽带光源在 405 nm 峰值处校准为 20 mJ/sec。总宽带剂量约 30 mJ/sec;4" 和 6" 夹头;4"、5" 和 7" 面罩支架;软、硬和真空接触能力;顶面对齐(无背面或键合对齐);10 毫米载物台行程,150 毫米显微镜物镜行程,带分场视图相机选项。
光刻加工中掩模对基材要求:完整的 4" 和 6" 晶圆标准;此面罩矫正器中不允许有碎片。对于作品,请改用 MJB3;如果晶圆有通孔等,则可能需要安装。创建服务台票以获得帮助;基板厚度可能为 200 µm 至 4 mm。
市面上有不同品牌的掩膜对准光刻机,及其大多是进口欧美,普通常规设备的售价在一百多万左右,高阶一点的设备价格更高。国内的高校,在条件允许的情况下,会采购这样的设备供科学实验使用。国外的高校选择海德堡光刻机系列的比较多,国内高校根据实际经济能力,购买其他进口光刻加工设备。
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