微纳加工
光刻加工最主要的设备还是光刻机,电子束光刻机、步进式光刻机。我们知道步进光刻机是把投影掩模版上的图形与涂胶硅片进行对准,而后从一点到另一点逐场曝光。在集成电路 (IC) 是在称为光刻的过程中生产的。该过程从一个大的高度纯化的圆柱形半导体材料晶体开始,称为晶锭。从晶锭上切下薄片以形成圆盘,然后经过初步加工和处理以制造出硅晶片。
要在 IC 上创建的电路元件在称为光掩模或光罩的玻璃或塑料板表面上以透明和不透明区域的图案复制。晶片上涂有一种称为光刻胶的感光材料。掩模位于晶圆上方,强光(通常为紫外线)透过掩模照射。暴露在光线下会导致抗蚀剂部分硬化或软化,具体取决于光刻加工工艺。
光刻加工中在曝光后,晶片像照相胶片一样显影,根据曝光过程中该区域接收到的光量,使光刻胶在某些区域溶解。这些光刻胶区域和无光刻胶区域再现了掩模版上的图案。然后将显影后的晶片暴露于溶剂中。溶剂蚀刻掉晶片部分不再受光刻胶涂层保护的硅。其他化学品用于改变裸露区域硅的电气特性。
然后清洁晶片,重新涂上光刻胶,然后再次通过该过程,在硅上逐层创建电路。一旦整个过程完成,晶圆就会被切割成单独的芯片,进行测试并包装出售。
自动步进式光刻机
像GCA AS200自动步进是亚微米能够投影光刻5X减少曝光系统。该系统可以自动执行 4" 晶圆的所有晶圆加工和处理操作,并可用于对齐和曝光工件。它主要用于将图像阵列直接曝光到晶圆表面。
光刻加工 自动步进式光刻机 图片源自网络
自动步进式光刻机的能力
400nm 隔离线、500nm 光栅和隔离沟槽;10 毫米片达 6" 晶圆;基板厚度(使用现有卡盘)175-675 μm(400-475 μm 厚的范围可能不起作用);14 毫米最大芯片尺寸。
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