微纳加工
旋涂是光刻加工中一种用于将均匀薄膜,施加到平坦基材上的技术。将在中等沸点材料中稀释的样品施加到正在旋转的基材上。晶片通过旋涂被光致抗蚀剂覆盖。因此,抗蚀剂的顶层从晶片的边缘迅速弹出,而底层仍沿晶片径向缓慢地蠕变。旋涂胶旋转器有很多种,每个实验室可以根据自身预算选择合适的光刻加工设备。
光刻加工中自动旋涂的转速和厚度的关系,可用配方的详细信息可在下表中找到。这些包括使用自动分配配方预期的平均厚度以及烘烤时间、曝光值和显影时间的示例。这些参数可能因个别过程而异,供大家参考。
国外某实验室使用CEE 200X 光刻胶旋转器1的CEE 200X光致抗蚀剂旋涂器是一个完全可编程的,自动分配,光致抗蚀剂位于1440C微调。该工具具有用于 4" 和 6" 晶片以及最大 2" 晶片的多个卡盘。它具有自动光刻胶分配器,但也可以进行手动分配。
配备的光刻胶: SPR 220 (3.0)、SPR 220 (7.0)、SPR 955 (0.9) 注意:在旋转 SPR 220 (7.0) 时,经常会在薄膜中看到微气泡。对于手动分配,可以通过事先对注射器进行超声处理来减少气泡数量。硬件细节:高达 6K rpm 的转速、加热板高达 200°C、使用配备的光刻胶或通过 EFD 管自动分配光刻胶。
材料限制:CEE 200X 光刻胶旋转器 1 被指定为通用类工具。以下是该工具的批准材料列表。批准是指在正常情况下工具中允许使用该材料。
支持的流程:CEE 200X 为每个配备的光刻胶以及手动分配的光刻胶提供从 1000 到 5000 rpm 以 1000 rpm 递增的配方。有大于 15 毫米、100 毫米晶圆和 150 毫米晶圆片的配方。这些配方之间的主要区别在于分配了多少光刻胶。
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