微纳加工
在光刻加工中,有一种叫纳米光刻的工艺。它是在纳米尺度上制造结构的艺术。主要用于为半导体技术创建集成电路和部件,其中能够制造尽可能小的晶体管和电路。它不仅可以创建更小的设备,还可以帮助提高组件的功率效率和性能。
光刻加工方法的进步也使得构建可用于微机电MEMS或纳米机电系统NEMS设备的复杂结构成为可能。此类微型机器已被用作 pH 传感器和晶体管,但此类技术在未来有大量可能的发展,例如将这些设备用于药物输送。
纳米光刻技术是如何工作的?
根据所使用的材料类型和最终结构的规格,有多种不同的技术可用于执行纳米光刻加工。通常,大多数纳米光刻加工技术利用光或电子的特性在基板上创建图案。这种图案化可以通过使用添加到光刻胶的掩模来实现,以保护区域免受入射光的影响。然后将图案蚀刻到未覆盖的区域,如果需要,可以去除先前被掩蔽的区域。
电子束光刻加工(EBL 或电子束光刻)是一种可用于创建最小特征(小至 5 纳米)的技术。不是使用光照亮表面,而是在上面扫描紧密聚焦的电子束表面。电子束曝光图案,然后可以显影抗蚀剂。此后,可以通过蚀刻和抗蚀剂去除或将金属蒸发到抗蚀剂上并溶解剩余的不需要的金属和抗蚀剂来完成图案转移。
虽然使用纳米光刻加工技术可以塑造出令人印象深刻的微小而复杂的设备,但制造规模越小,图案转移的精度就变得至关重要。精度问题可能导致浪费材料及其相关成本的制造错误。然而,要使非常高精度的图案转移成为可能,需要克服许多光刻加工的技术挑战。
为了使电子束或光源能够正确地在抗蚀剂上追踪图案,它需要关于其相对位置的反馈,包括源的相对高度及其在抗蚀剂水平面上的位置。电子束光刻的另一个相关问题是“拼接错误”。当转移较大的图案时,整个图案被分解成较小的书写区域,这些区域通过翻译阶段的运动连接起来。在这里,平移阶段的运动必须绝对精确,以保留其组成区域的完整模式。
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