电子束光刻设备2

分享光刻加工中电子束光刻设备参数，对光刻工艺工程师可以使用不同设备时有和好的适应性。光刻加工不仅需要对工艺有熟练的要求，对设备的良好使用也是有一定的使用要求。以下参考国外某电子束光刻设备。

光刻加工 图片源自网络 

1.能力/光刻表现

最小特征尺寸：

100 kV（高精度写入模式）：≤ 8 nm

100 kV（高速写入模式）：≈ 50 nm

2.叠加精度：

高分辨率写入模式 ≤ ± 20 nm

高速写入模式 ≤ ± 35 nm

3.现场拼接精度：

高分辨率写入模式 ≤ ± 20 nm

高速写入模式 ≤ ± 30 nm

4.光束定位精度：

高分辨率写入模式 = 0.125 nm

高速写入模式 = 2 nm

5.写功能：

直写和叠写：重叠检测晶圆上的标记

口罩制作：在口罩坯料上曝光

字符书写：字母、数字和 24 个符号

字符尺寸：1 毫米 X 1 毫米

字符行：最多 4

循环校正曝光：剂量校正、光束位置校正、光束偏转系统校正

非平面基板图案化：

最大限度。非平面基板的高度变化 = 10 mm

最小。特征尺寸 ≥ 50 nm

6.硬件细节

电子束：

光束形状：点光束

加速电压：100 kV

光束电流：500 pA 至 20 nA

最小光束尺寸：≤ 2.9 nm（100 kV 高分辨率写入模式）

光束偏转：

方法：矢量扫描

高速写入模式下的写入区域：1 mm X 1 mm

高精度写入模式下的写入场：62.5 µm X 62.5 µm

光束定位DAC：19位

光束扫描 DAC：12 位

光束扫描速度：50 MHz

7.舞台运动：

方法：一步一步重复

载物台位置测量：激光干涉仪

位置步长：λ/1024 (0.62 nm)

载物台移动范围：190 X 170 mm

书写区域：150 X 150 毫米

移动速度：高达 10 毫米/秒

材料转移：

带 10 个磁带装载系统的自动装载机

基材要求

从 5 毫米 X 5 毫米到 150 毫米晶圆的零件；5" 和 6" 面罩毛坯

允许使用 Si、III-V、金属、电介质

基板必须直接安装到正确的卡匣上

在光刻加工中，电子束光刻工具有一个特定的最大区域，它可以为固定的平台位置写入，称为写入场。通常，它们的范围从几十微米到 1-2 毫米不等。如果要曝光的图案大于写入场的大小，则电子束被消隐，载物台移动 1 个写入场的距离并继续写入。为避免写入场之间的不连续或重叠（称为场拼接错误），电子束光刻系统具有激光干涉测量台定位系统，允许以纳米级精度拼接场。