光刻加工电子束光刻设备

光刻加工中，电子束光刻 (EBL) 或电子束直写光刻 (EBDW)在覆盖有电子敏感膜或抗蚀剂（例如PMMA或HSQ）的表面上扫描聚焦电子束以绘制自定义形状，是常见的光刻加工工艺。通过改变抗蚀剂的溶解度并随后通过浸入溶剂中选择性去除材料，已经实现了亚 10 nm 的分辨率。这种直接写入、无掩模光刻的形式具有高分辨率和低吞吐量，将单列电子束限制为光掩模制造、半导体器件的小批量生产和研发。多电子束方法以提高半导体批量生产的产量为目标。

光刻加工 电子束光刻设备 图片源自网络

这里介绍一款光刻加工中用到的电子束光刻涉笔：JBX-6300FS 配备带 ZrO/W 发射器的热场发射电子枪，是一种电子束光刻系统，采用矢量扫描方法进行束偏转。光束偏转采用19位DAC，加速电压为100kV。工件台由步进和重复方法驱动，可以装载从 5 毫米 X 5 毫米片到 200 毫米晶圆的基板。提供了一个自动装载机，可在无人看管的情况下连续操作多达 10 个包埋盒。

在光刻加工中用于光刻控制和JOB制作的计算机操作系统(OS)在UNIX中完成。UNIX 和 GUI（图形用户界面）的结合实现了高操作效率。对于对 GCA Stepper 功能之外的图案化特征感兴趣的用户，JEOL 电子束光刻系统现在提供了一种新的快速写入选项，该系统使用高探针电流将图案化时间减少一个数量级。在这种条件下可以图案化的典型特征在 200 纳米到 500 纳米之间。蚀刻和剥离工艺是可以实现的。请发送电子邮件给 Vishva Ray (vpray@umich.edu) 或创建帮助台工单以获取更多信息。

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