光刻加工中使用的套件

在光刻加工中标准的工艺流程包含打底、涂层、软烤、曝光、显影和硬烤。而拥有一个能完成这些工艺步骤的光刻套件，会让光刻加工变得方便许多。

光刻套件像 ANFF-Q 大学站点使用的光刻套件设置为使用正像和反向图像光刻胶处理微米特征。所有工艺均由配方驱动，确保全晶片加工质量一致。150 毫米晶圆的典型抗蚀剂厚度均匀性 = <+/- 0.5 %。已显示出亚微米光刻能力。

光刻加工套件 图片源自网络

光刻加工的光刻设备套件为工业标准处理提供完整的工艺流程，具体为：

1、打底：用粘合促进剂涂覆晶片表面。并非所有表面都是必需的。

2、涂层：过旋转或喷涂在抗蚀剂上涂覆晶片。通常需要一件均匀的外套。

3、软烤：去除抗蚀剂中的某些溶剂，可能会导致抗蚀剂质量（和厚度）的大量损失。使抵抗力更加粘稠。

4、曝光：掩模图像在抗蚀剂上的投影会引起选择性的化学性质变化

5、显影：曝光后有选择地去除抗蚀剂（如果抗蚀剂为正，则曝光的抗蚀剂；如果抗蚀剂为正，则未曝光的抗蚀剂）。通常是湿法工艺（尽管存在干法工艺）。

6、硬烤：从抗蚀剂上清除掉大部分剩余的溶剂。

光刻加工中的光刻套件主要用于器件制造的商业标准光刻胶图案，主要在硅材料上进行光刻。图片所示设备，尽管套件设置为150毫米，但也可以处理更小的晶圆和碎片处理。在实际光刻加工中，确保一致的质量抗蚀剂1 µm厚涂层，不均匀性< +/- 0.5 %与3 mm边缘排除，实现分辨率：1 µm线条和空间，目标特征上的86°轮廓。