光刻加工设备旋涂机

在光刻加工工艺步骤中，有一个步骤叫旋涂。它是一种用于将均匀薄膜施加到平坦基材上的技术。将在中等沸点材料中稀释的样品施加到正在旋转的基材上。晶片通过旋涂被光致抗蚀剂覆盖。因此，抗蚀剂的顶层从晶片的边缘迅速弹出，而底层仍沿晶片径向缓慢地蠕变。

光刻加工 旋涂机 图片源自网络

这样，抗蚀剂的任何“凸起”或“脊”都被去除，留下非常平坦的层。但是，粘性薄膜可能会导致边缘较大的珠子，其平坦化程度会受到物理限制。最终厚度还取决于抗蚀剂中液态溶剂的蒸发。对于非常小的密集特征（<125纳米左右），需要较低的抗蚀剂厚度（<0.5微米），以克服高深宽比时的塌陷效应。典型的宽高比<4：1。

然后将通常涂覆有光致抗蚀剂的晶圆进行预烘焙，以在热板上在30至60秒钟内（通常在90至100℃下）去除多余的光致抗蚀剂溶剂。可以在施加光致抗蚀剂之前先施加BARC涂层（底部抗反射涂层），以避免在光致抗蚀剂下方发生返修，并提高光致抗蚀剂在较小半导体节点上的性能。

在光刻加工工艺中软抗蚀剂的开发过程，旋涂机可用于将聚合物薄膜涂覆到硅晶片上。所施加的薄膜厚度可以小于 10 nm，并受所施加的聚合物溶液的浓度和旋转速度的控制。像ANFF-Q 有一台用于 SU8 的 Brewer Science 旋涂机和一台用于 PDMS 的 APT Polos 旋涂机，可以加工直径从 10 毫米到 6 英寸的各种晶片几何形状。

旋涂的主要目的：用于在玻璃和硅片以及其他基材上旋涂光刻胶和聚合物。使用正负光刻胶和其他聚合物。光刻加工的晶圆尺寸高达 150 毫米（6 英寸）。