光刻加工中的光刻胶

光刻胶是悬浮在光刻加工中使用的溶剂中的光敏聚合物。光刻加工的第一步，用化学方法对硅片进行清洗，然后高速离心旋转涂抹光刻胶。某些光刻胶允许极性反转。光刻工艺工程师可以使用正型酚醛清漆抗蚀剂与我掩模对准器和步进机一起使用，负环氧基抗蚀剂和电子束抗蚀剂与使用。常见的光刻胶为SU-8。

光刻加工-su8-光刻胶流 源自网络

光刻加工的正负光刻胶

有两种类型的光刻胶:正的和负的。对于正极电阻器，电阻器暴露于在需要去除底层材料的地方使用紫外线。在这些电阻中，暴露在紫外线下改变抗蚀剂的化学结构，使其在显影剂中更容易溶解。抗蚀剂被显影液冲走，留下裸露的底层材料。换句话说，“看什么就看什么。”因此，掩码包含了留在晶圆上的图案。

在光刻加工中，消极抵抗的行为方式正好相反。暴露在紫外线下会产生负阻使其聚合，并且更难溶解。因此，消极的抵制仍然存在无论它暴露在哪里，开发人员解决方案只删除未暴露的部分。因此，用作负极的光阻剂，含有图案的逆(或照相“负极”)消极的抵抗。

光刻加工中光刻胶的应用

1.蚀刻

·RIE - RIE中使用的光刻胶需要具有热稳定性和耐蚀刻化学性。

·湿蚀刻：光刻胶的附着力非常重要，因为任何附着力失败都会大大增加咬边。

2.沉积

·剥离：需要防止侧壁沉积的光刻胶轮廓。通常这是通过使用双层堆叠和底切底层来完成的。

·电镀

·成型