光刻半导体

光刻加工技术是芯片制造中的一种图案化工艺。有人描述为：光刻用于将图案从光掩模转移到基板上的光。该过程涉及将图案从光掩模转移到基板上。这主要是使用配备有光学光源的步进器和扫描仪来完成的。其他形式的光刻包括直写电子束和纳米压印。研发中还有几种下一代光刻（NGL）技术，例如极紫外（EUV）、多光束电子束和定向自组装（DSA）。

光刻加工 光刻设备 图片源自ASML

由于摩尔定律推动半导体技术路线图低于 1 µm，因此需要源源不断的新技术来生产领先的芯片。对于该路线图的大部分，支持工程解决方案都在处理方面。例如，i-line 的开发，然后是 KrF 和 ArF 光源，先进的抗蚀剂化学等。

随着科研人员继续缩小间距，将光刻 k1（表示光刻工艺的难度）推低，目前科研人员坚持使用 193nm/1.35NA 扫描仪。当 k1 降至 0.6 以下时，仅靠扫描仪就无法解析晶圆上的图像，因此必须开发新的 EDA 软件来补偿损失的分辨率。该软件从基于规则的最佳邻近校正 (OPC) 开始，随着我们继续向下，添加了基于模型的 OPC、亚分辨率辅助功能 (SRAF) 和类似技术。

这扩展了光刻加工工具的使用，并且因为调整是在流片后（在掩模准备阶段）应用的，设计人员不必了解它们。