光刻加工中的其他工艺

光刻加工中有很多步骤和工艺组成光刻，像Soft-Baking、蒙版对齐和曝光、接触印刷、接近印刷、投影光刻等。

Soft-Baking

光刻加工在软焙过程中，几乎所有的溶剂都从光阻涂层中去除。软烤在摄影成像中起着非常重要的作用。光刻胶涂层变得光敏，或者只有在软烤后才能成像。过软的烘烤会使抗光剂的感光性降低要么减少显影剂的溶解度，要么实际上破坏了一部分敏化剂。下软烘烤将防止光线到达敏化剂。阳性电阻不完全暴露，如果相当多的溶剂残留在涂层中。这种烘烤过软的阳性电阻随后容易被攻击由显影剂在暴露和未暴露的区域，造成较少的耐蚀性。

蒙版对齐和曝光

掩模对准是光刻加工过程中最重要的步骤之一。一个面具或“掩模”是一面带有金属薄膜图案的乳液的方形玻璃板。面具是与晶圆对齐，使图案可以转移到晶圆表面上。每次面膜后第一个必须与前一个模式对齐。一旦掩模与晶圆表面的图案精确对齐，光刻胶就会用高强度紫外光透过面罩上的图案曝光。有三个主要的曝光方法:接触、接近和投影。

接触印刷

在接触印刷中，电阻涂层硅片与玻璃进行物理接触光掩模。晶圆被放在真空吸盘上，整个装配过程一直持续到晶圆和掩码互相联系。当晶圆处于接触位置时，用紫外线照射光刻胶的面具。由于阻垢剂和掩膜之间的接触，在接触印刷(例如1微米的特征在0.5微米的正阻垢剂)。接触问题印刷是指在阻垢剂和掩模之间的碎片会损坏掩模并造成缺陷的模式。

接近印刷

接近曝光法与接触印刷相似，只是间隙小，10到25微米在曝光过程中，晶片和掩模之间保持宽。这种差距最小化了(但可能不会消除)掩盖损失。近似2到4微米的分辨率是可能的接近打印。

投影光刻

投影打印，完全避免蒙版损坏。掩模上的图案的图像被投射出来在几厘米远的电阻涂层晶片上。以达到高分辨率。

光刻加工的效果如何，和每个步骤有关。当然，也和光刻加工的工艺工程师的加工经验有很大关系。我们在选择光刻加工的时，还是要选择工艺经验丰富的公司进行光刻加工。