光刻加工之电子束光刻

光刻加工工艺有很多种，其中电子束光刻（电子束光刻）是一种直接写入技术，它使用加速的电子束在已涂有电子束敏感抗蚀剂的基板上对低至 10 nm 的特征进行图案化。暴露于电子束会改变抗蚀剂的溶解度，通过将抗蚀剂浸入显影剂中，能够选择性去除抗蚀剂的曝光或未曝光区域。

光刻加工 图片源自网络 国外大学光刻设备

电子束光刻在光刻加工中的主要优势在于它可以以亚 10 nm 的分辨率写入自定义图案。这种直写形式具有高分辨率和低吞吐量，限制了其在光掩模制造、半导体器件的小批量生产和研发方面的使用。

在光刻加工中，电子束光刻系统使用类似于扫描电子显微镜 (SEM) 的硬件来引导纳米尺寸的聚焦电子束在抗蚀剂层中形成潜像。这种曝光的结果是使抗蚀剂在适当的显影剂溶液中更易溶解（称为正性抗蚀剂）或更难溶解（负性抗蚀剂）。然后通过蚀刻或通过沉积其他材料来转移所得图案。通过迭代这种类型的多个步骤，可以建立非常短的长度尺度的复杂结构。

电子束光刻工具有一个特定的最大区域，它可以为固定的平台位置写入，称为写入场。通常，它们的范围从几十微米到 1-2 毫米不等。如果要曝光的图案大于写入场的大小，则电子束被消隐，载物台移动 1 个写入场的距离并继续写入。为避免写入场之间的不连续或重叠（称为场拼接错误），电子束光刻系统具有激光干涉测量台定位系统，允许以纳米级精度拼接场。

原位芯片为全国高校、科研机构提供光刻加工服务。