光刻加工的正负光刻胶

光刻加工的第一步，用化学方法对硅片进行清洗，以去除表面的颗粒物质任何有机，离子和金属杂质的痕迹。清洁后，二氧化硅，作为一种阻挡层沉积在晶圆片的表面。后形成SiO2层，形成光刻胶应用于晶圆片表面。硅晶圆的高速离心旋转是标准在集成电路制造中应用光刻胶涂层的方法。这个技巧被称为“旋转”涂层在晶圆片表面产生一层薄而均匀的光刻胶。

光刻加工 光刻胶

光刻加工的正负光刻胶

有两种类型的光刻胶:正的和负的。对于正极电阻器，电阻器暴露于在需要去除底层材料的地方使用紫外线。在这些电阻中，暴露在紫外线下改变抗蚀剂的化学结构，使其在显影剂中更容易溶解。抗蚀剂被显影液冲走，留下裸露的底层材料。换句话说，“看什么就看什么。”因此，掩码包含了留在晶圆上的图案。

在光刻加工中，消极抵抗的行为方式正好相反。暴露在紫外线下会产生负阻使其聚合，并且更难溶解。因此，消极的抵制仍然存在无论它暴露在哪里，开发人员解决方案只删除未暴露的部分。因此，用作负极的光阻剂，含有图案的逆(或照相“负极”)消极的抵抗。

在集成电路处理的早期历史中，负极电阻很流行，而正极电阻则比较流行由于它们为小几何提供了更好的过程可控性，逐渐得到了更广泛的应用特性。正阻垢剂现在是VLSI制造过程中使用的主要类型的阻垢剂。