光刻加工--等离子光刻、纳米球光刻技术

在MEMS代工/微纳代工中，光刻加工的主要工艺技术是在电子束光刻、步进式光刻、接触式、接近式光刻加工技术。然而受设备和技术的限制，还有很多光刻工艺很少在现实中使用。例如：纳米球光刻、中性粒子光刻、等离子光刻、质子束书写、模板光刻、量子光刻。 

光刻加工中--纳米球光刻使用自组装单层球体（通常由聚苯乙烯制成）作为蒸发掩模。这种方法已被用于制造具有精确控制间距的金纳米点阵列。

中性粒子光刻(NPL)：使用宽束高能中性粒子在表面上进行图案转移。

等离子光刻：利用表面等离子激元激发产生超衍射极限图案，受益于表面等离子激元的亚波长场限制特性。

质子束书写：该技术使用高能 (MeV) 质子聚焦束在纳米尺寸上对抗蚀剂材料进行图案化，并且已被证明能够产生远低于 100 nm 标记的高分辨率图案化。

在光刻加工中，还有一种模板光刻是一种使用纳米尺寸孔径作为阴影掩模制造纳米尺度图案的无抗蚀剂和并行方法。

量子光刻（QOL），能够以1米纳米的分辨率写一个衍射无限方法[10]通过光学手段，使用红色激光二极管（λ= 650纳米）在3处获得.Complex图案像几何图形和字母抗蚀剂基板上的分辨率。该方法应用于纳米图案石墨烯，分辨率为 20 nm。

截止目前，光刻加工工艺技术有很多种，从电子束光刻到量子光刻，大概有十一种光刻加工工艺，每种光刻加工工艺对应的的功能，我们可以根据需求，择优选择。