Rogue Valley Microdevices的MEMS代工蚀刻工艺能力

Rogue Valley Microdevices是一家MEMS代工厂，小到刻蚀代工，大到晶圆代工Rogue Valley Microdevices都能胜任。在MEMS代工中使用的蚀刻工艺很大程度上取决于用于构建设备的基板材料和薄膜。湿化学和干化学都可能对目标材料产生所需的效果，但通常会导致对设备的下层或其他区域的意外损坏。

MEMS代工刻蚀工艺由于材料的敏感性，必须仔细计划确定哪种蚀刻类型将产生最佳结果。在某些情况下，选择一种蚀刻类型而不是另一种蚀刻类型可以增加产量并提供成本优势。KOH或TMAH湿法刻蚀有时可以替代昂贵的干法刻蚀处理。

RVM MEMS代工刻蚀工艺 有多种湿法和干法蚀刻工艺选项可供选择，并将优化您的器件制造工艺，以生产具有竞争力价格的高质量产品。

湿蚀刻

氧化物、铝、铝硅、铬、金、硅（KOH和TMAH）、晶圆尺寸50mm至200mm

图片源自RVM 

干蚀刻

硅、氧化物、氮化物、氮化钽、聚酰亚胺、晶圆尺寸50mm至200mm

其他

离子铣削（溅射蚀刻）、晶圆尺寸50mm至300mm

溅射金属沉积

我们了解MEMS代工质量对客户而言至关重要。RVM的溅射工艺旨在沉积超干净的金属和介电膜。所有晶圆处理，包括金属沉积，均在RVM的100级无尘室内执行。将原位RF蚀刻添加到该过程中，以确保良好的薄膜附着力以及与下面的导电层的欧姆接触。

RVM的MEMS代工溅射金属沉积：除了原位RF蚀刻之外，我们还可以在溅射铝和铝合金膜之前提供HF浸入。添加此附加步骤可以进一步增加层之间的欧姆接触。溅射金属沉积是全向过程。因此，溅射沉积不是剥离工艺的理想选择。如果您对用于提离代工的金属感兴趣，请参见我们的电子束蒸发金属页面。所有溅射膜均可在直径最大为300mm的硅晶片上使用。我们还可以在非硅材料（包括石英和玻璃晶圆）上提供溅射膜。

RVM MEMS代工提供各种溅射的非贵金属，介电膜和硅。贵金属可用于电子束蒸发。他们最受欢迎的溅射胶卷包括：钛、铬、铝、铝铜、铝硅、铜、镍、钽、钨丝、硅

技术指标

·厚度范围：100Å-1.5µm（取决于金属）

·厚度公差：+/- 10％

·边数：1

·晶圆尺寸：2“ – 12”

·气体：氩气，氮气

·设备：溅射沉积工具