微纳加工
在微纳加工领域,石英片的需求近年来显著增长,主要归因于其独特的物理化学特性与尖端技术发展的适配性。
1. 石英的核心优势
石英(SiO₂)相比普通玻璃或硅片具有以下不可替代的特性:
超高纯度与化学稳定性:耐强酸(HF除外)、强碱和高温(软化点~1600℃),适合苛刻的湿法/干法刻蚀环境。
极低热膨胀系数(0.55×10⁻⁶/℃):与硅(2.6×10⁻⁶/℃)接近,减少热应力,适合高温工艺(如晶圆键合)。
优异的光学性能:紫外到近红外波段高透光率(>90%),且无荧光背景,是光刻掩膜版和光学器件的理想材料。
2. 驱动需求增长的关键应用
(1)光刻技术(Lithography)的演进
EUV光刻掩膜版:极紫外光刻(13.5 nm)要求掩膜基板近乎零缺陷,石英的低热膨胀和高表面平整度(<0.5 nm RMS)可减少图形畸变。
深紫外(DUV)与i线光刻:石英对248 nm(KrF)和365 nm(i线)光的高透过率提升曝光效率。
(2)MEMS与传感器封装
透明封装盖板:石英的化学惰性可保护MEMS结构(如加速度计、微镜)免受湿气腐蚀,同时允许光学信号穿透(如红外传感器)。
阳极键合(Anodic Bonding):石英与硅的键合界面气密性优于玻璃,适用于高可靠性器件。
(3)微流控与生物芯片
生物兼容性:石英表面易修饰(如硅羟基活化),适合DNA微阵列、器官芯片等生物检测。
耐溶剂性:可承受微流控芯片中常用的有机溶剂(如PDMS固化剂)。
(4)光子集成电路(PIC)
低光学损耗:石英波导的传播损耗(<0.1 dB/cm)远低于硅基波导,是高速光通信器件的关键材料。
与硅光子学的异质集成:石英-on-Si结构可实现低噪声光互联。
3. 工艺适配性需求
高精度刻蚀:石英的干法刻蚀(如CF₄/CHF₃等离子体)需高选择比掩膜(如Cr或Ni),推动高均匀性石英片的开发。
纳米级平坦化:化学机械抛光(CMP)要求石英表面粗糙度<0.2 nm,以满足EUV掩膜要求。
4. 市场与技术趋势
半导体技术节点推进:3 nm以下制程依赖EUV光刻,石英掩膜版需求激增(据SEMI统计,2023年市场规模超15亿美元)。
新兴领域需求:量子器件(如离子阱)需要超低热噪声石英基底;柔性电子采用超薄石英(<100 μm)作为临时载体。
石英片需求的增长本质上是 “性能驱动” 和 “工艺刚需” 共同作用的结果:
l 技术升级:EUV光刻、硅光子学等先进技术依赖石英的极限性能。
l 可靠性要求:生物、航天等领域对材料稳定性的严苛标准。
l 替代难度:尚无其他材料能同时满足光学、机械与化学性能的平衡。
未来,随着异质集成和量子技术的发展,石英片在微纳加工中的地位将进一步巩固。
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