对准曝光机vs. 步进式曝光机

微纳加工中的光刻有电子束光刻、步进式光刻、接触接近式光刻等。其中，掩模对准曝光机和步进式曝光机都属于光刻类别。光刻工艺从光掩模版开始。设计人员设计IC或封装，然后将其转换成文件格式，再基于该格式开发光掩模版。光掩模版根据给定图形进行设计。掩模版显影后，被运送到晶圆厂或封装厂。将掩模版放置在光刻设备中。该设备发射光线透过掩模版，在器件上形成图案。

微纳加工公司对光刻设备的成熟运用是需要案例积累的。同时，对准曝光机从问世至今，是封装界的主流光刻设备。掩模对准曝光机的工作原理是将掩膜版的全区域图形投影到衬底上。由于投影光学器件没有减少，掩模版必须放置在晶圆附近。掩模对准曝光机主要用于封装、MEMS和LED（发光二极管）领域。掩模对准曝光机在需要高强度和高曝光次数的凸点和厚抗蚀剂曝光领域具有性能和成本优势。

然而，对于更先进的应用，封装厂则会转向使用一种称为步进式曝光机的光刻系统。使用先进的投影光学系统，步进式曝光机的分辨率高于掩模对准曝光机。步进式曝光机可以将图像特征以更小比例从掩模版转移到晶圆上。不断重复该过程，直到晶圆被加工完成。封装领域步进式曝光机的主要参与者有佳能、鲁道夫、维易科及其它竞争者。

对于许多应用来说，封装厂商选择使用步进式曝光机出于几个原因。

1.步进式曝光机也正在缩小套刻精度以匹配CD。现在，它必须能够处理更多不同尺寸的衬底。

2.在晶圆厂，芯片制造商使用193nm波长的光刻系统来进行特征成像。然而在封装厂，由于特征尺寸更大，封装厂无法使用此波长的设备。相反，他们使用的光刻机波长更长，如436nm（g-line）、405nm（h-line）和365nm（i-line）三种波长。

4.在封装过程中，一些步进式曝光机仅具备i-line波长，而有一些则支持更多的波长。例如，Veeco推出的一种称为宽波段步进式曝光机，就支持三种不同波长——436nm、405nm和365nm，通常是由宽波段光谱汞灯产生的。