半导体制造的六个步骤（一）

要制造任何芯片，许多工艺都会发挥作用。六个关键的半导体制造步骤：沉积、光刻胶、光刻、蚀刻、电离和封装。其中，前三都是为光刻加工的步骤。

沉积

在光刻加工中，我们需要对硅片进行沉积。该过程从硅晶片开始。导电、隔离或半导体材料薄膜被沉积在晶片上，一般取决于所制造结构的类型，以便能够在其上印刷第一层。这一重要步骤通常称为“沉积”。

随着微芯片结构“缩小”，晶圆图案化过程变得更加复杂。沉积以及蚀刻和光刻技术的进步是缩小和追求摩尔定律的推动因素。这些进步包括使用新材料和创新，以提高沉积这些材料时的精度。

光刻加工设备 源自网络

光刻胶涂层

沉积后，晶片上覆盖一层称为“光刻胶”或简称“抗蚀剂”的光敏涂层。在光刻加工中，常用的光刻胶为SU-8。而抗试剂，有两种类型：正的和负的。

正负光刻胶的主要区别在于材料的化学结构以及光刻胶与光反应的方式。使用正抗蚀剂，暴露在紫外线下的区域会改变其结构并变得更易溶解——准备好进行蚀刻和沉积。负抗蚀剂的情况正好相反，其中受光照射的区域会聚合，这意味着它们变得更坚固且更难溶解。正性抗蚀剂最常用于半导体制造，因为其更高分辨率的能力使其成为光刻阶段的更好选择。世界上有几家公司生产用于半导体制造的抗蚀剂，例如富士电子材料、陶氏化学公司和 JSR 公司。

据学者统计，在2020 年，全球范围内生产出超过1万亿个芯片。看似每人拥有130颗芯片，但芯片短缺依旧是事实。但是，尽管它们的广泛存在可能表明，制造微芯片绝非易事。所以，在芯片研发的设计、测试阶段，和光刻加工有关的步骤十分重要。