光刻加工的应用

光刻加工时，用户不希望影响其整个样品（主要是沉积或蚀刻）的工艺步骤之前对样品进行图案化。在使用蚀刻光刻法创建抗蚀剂保护层之前，该保护层只会在有抗蚀剂的地方留下材料（负图案）。在使用沉积光刻进行剥离之前，在沉积之后剥离抗蚀剂，只留下没有抗蚀剂的材料（正图案）。

光刻加工典型步骤：

1.从干净的基材和掩模开始。如果掩模或基板上有颗粒，它们会导致光刻胶覆盖不均匀，从而导致许多设备出现错误。

2.脱水烘烤样品。这可以去除表面的任何水分，并会提高对表面的附着力。通常当表面仍有水分时，抗蚀剂会在烘烤过程中起泡。

3.旋转抗蚀剂（通常在粘合促进剂之后）。这需要均匀地涂覆表面，否则曝光将不一致。

4.软烘烤抗蚀剂，这可以驱除抗蚀剂中的溶剂。过多的软烘焙会降低光刻胶的灵敏度。

5.暴露抗蚀剂。在某些抗蚀剂中，需要进行曝光后烘烤 (PEB)。这将使酸分布在破坏键的抗蚀剂中。它导致抗蚀剂中更直的侧壁轮廓。

6.培养抵抗力。显影剂的类型取决于抗蚀剂和基材。自动开发系统将提供比手动方法更好的再现性。

（有些抵抗需要硬烘烤，而另一些则不需要。确保遵循所用抗蚀剂的推荐做法。）

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