不同光刻加工工艺的比较

光刻加工根据所需的特征，有几种不同的光刻加工方法。最常见的类型是光学光刻和电子束光刻。像LNF 可提供软和直接写入光刻。

在LNF 中可用的一些常见光刻加工工艺的方法。批处理是指一次对整个样品进行图案化的能力，例如通过光掩模或印章。写入方法描述了材料是如何形成图案，例如通过UV光，电子束，或直接机械接触。不同光刻加工工艺的比较

在光刻加工中，光刻胶通过光掩模用紫外光曝光。这种方法可以对多种特征进行图案化，但分辨率有限。为了获得更高分辨率的短波长光（G-line 435.8nm、H-line 404.7nm、I-line 265.4nm）。在 LNF，有两种类型的光刻系统：1.接触式光刻：对于 LNF 上可用的系统，最小特征约为 2µm，最小对准公差约为 1µm2.投影光刻：使用我们的投影光刻系统（5X 光学步进器），我们可以实现 0.5μm 的最小特征，具有0.2μm 的对准公差。在 LNF 中，接触式和投影式光刻都利用掩模来定义样品上的图案。