光刻加工的曝光与发展

MEMS代工中的光刻加工工艺的曝光与发展，是在预烘烤后，将光致抗蚀剂暴露在强光下。曝光导致化学变化，该化学变化允许通过与照相显影剂类似的称为“显影剂”的特殊溶液除去一些光致抗蚀剂。正型光刻胶（最常见的类型）在曝光后可溶于显影剂。对于负性光刻胶，未曝光区域可溶于显影剂。

光刻加工曝光后烘烤（PEB）在显影之前进行，通常是为了减少入射光的破坏性和建设性干涉图样所引起的驻波现象。在深紫外光刻中，使用化学放大抗蚀剂（CAR）化学。该过程对PEB时间，温度和延迟更加敏感，因为大多数“曝光”反应（产生酸，使聚合物可溶于碱性显影剂）实际上发生在PEB中。

显影化学物质像光刻胶一样在旋转器上传送。显影剂最初通常包含氢氧化钠（NaOH）。但是，钠被认为是MOSFET制造中极不希望的污染物，因为钠会降低栅极氧化物的绝缘性能（具体来说，钠离子会迁移到栅极中和从栅极中迁移出来，从而改变晶体管的阈值电压，使它变得更难或更容易导通随着时间的流逝，晶体管导通）。现在使用无金属离子的显影剂，例如氢氧化四甲基铵（TMAH）。

如果使用了非化学放大的抗蚀剂，则通常在120至180℃ 下将所得晶片“硬烘烤” 20至30分钟。硬烘烤固化剩余的光刻胶，以在将来的离子注入，湿法化学蚀刻或等离子蚀刻中形成更耐用的保护层。

从准备到这一步骤，光刻加工过程已由两台机器进行：光刻步进机或扫描仪，以及涂布机/显影机。两台机器通常并排安装。