光刻加工中光刻胶及其应用

MEMS代工中，光刻加工工艺涉及光刻胶的使用。工艺工程师的经验，决定了光刻加工是否能顺利进行。那么，光刻胶的应用和品牌我们都很明白吗？原位芯片，带带大家一起了解。

一、光刻加工中光刻胶的应用

MEMS代工的光刻加工工艺，光刻胶的应用也是有讲究。晶片通过旋涂被光致抗蚀剂覆盖。因此，抗蚀剂的顶层从晶片的边缘迅速弹出，而底层仍沿晶片径向缓慢地蠕变。这样，抗蚀剂的任何“凸起”或“脊”都被去除，留下非常平坦的层。但是，粘性薄膜可能会导致边缘较大的珠子，其平坦化程度会受到物理限制。最终厚度还取决于抗蚀剂中液态溶剂的蒸发。对于非常小的密集特征（<125纳米左右），需要较低的抗蚀剂厚度（<0.5微米），以克服高深宽比时的塌陷效应。典型的宽高比<4：1。

然后将通常涂覆有光致抗蚀剂的晶圆进行预烘焙，以在热板上在30至60秒钟内（通常在90至100℃下）去除多余的光致抗蚀剂溶剂。可以在施加光致抗蚀剂之前先施加BARC涂层（底部抗反射涂层），以避免在光致抗蚀剂下方发生返修，并提高光致抗蚀剂在较小半导体节点上的性能。

二、光刻加工--光刻胶品牌：

半导体光刻胶德国巴斯夫、日本黑金化成、日本绿化学、日本 San-Apro公司

LCD光刻胶：德国巴斯夫、日本ADEKA 公司、大阪瓦斯化学、JFE 化学

PCB光刻胶：台湾优禘股份有限公司、德国巴斯夫、日本黑金化成