光刻加工中干湿刻蚀步骤

光刻加工中干湿蚀刻也是MEMS代工中可以单独成为项目的代工业务。蚀刻（MEMS代工），在蚀刻过程中，液体（“湿”）或等离子体（“干”）化学试剂会在不受光刻胶保护的区域中去除基板的最上层。

在半导体制造中，通常使用干法蚀刻技术，因为它们可以被制成各向异性的，以避免光致抗蚀剂图案的明显底切。当要定义的特征的宽度等于或小于要蚀刻的材料的厚度时（即，当长宽比接近1时），这是必不可少的。湿法刻蚀工艺通常本质上是各向同性的，这对于微机电系统来说是必不可少的，在微机电系统中，必须从下层“释放”悬浮的结构。低缺陷率各向异性干法蚀刻工艺的发展使得光刻胶中光刻定义的越来越小的特征能够转移到基板材料上。

MEMS代工中去除光刻胶：在不再需要光致抗蚀剂之后，必须将其从基底上去除。这通常需要液体“抗蚀剂剥离剂”，该化学剥离剂会化学改变抗蚀剂，使其不再粘附到基材上。可选地，光致抗蚀剂可以通过含氧的等离子体去除，该氧将其氧化。此过程称为灰化，类似于干法蚀刻。将1-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）溶剂用于光致抗蚀剂是另一种用于去除图像的方法。抗蚀剂溶解后，可以通过加热至80°C除去溶剂，而不会留下任何残留物。