MEMS代工中光刻加工的准备工作

MEMS代工中光刻加工的准备工作包含准备和清洁工作。如果晶片表面上存在有机或无机污染物，则通常通过湿化学处理将其除去，例如，基于含过氧化氢的溶液进行的RCA清洁程序。由三氯乙烯，丙酮或甲醇制成的其他溶液也可用于清洁。

光刻加工的准备工作一般包含：首先将晶片加热到足以驱除晶片表面上可能存在的水分的温度。150°C十分钟就足够了。已存储的晶圆必须进行化学清洁以去除污染。

其次，甲液体或气态“粘合促进剂”，如双（三甲基硅烷基）胺（“六甲基二”，HMDS），用于促进光致抗蚀剂对晶片的粘附。晶片上的二氧化硅表面层与HMDS反应形成三甲基化的二氧化硅，这种高度憎水的层与汽车油漆上的蜡层不同。该斥水层防止水性显影剂渗透到光致抗蚀剂层和晶片表面之间，从而防止所谓的（显影）图案中的小光致抗蚀剂结构浮起。为了确保图像显影，最好将其覆盖并放在热板上，使其干燥，同时将温度稳定在120°C。这两部，就是MEMS代工中光刻加工的前步骤。