MEMS代工中沉积的热氧化和PVD

MEMS代工中沉积的热氧化这是最基本的沉积技术之一。它只是在富氧气氛中氧化基材表面。将温度升高到800°C至1100°C，以加快该过程。这也是唯一一种在进行过程中实际上会消耗一些基材的沉积技术。氧气的扩散会扩散到基材中，从而抑制薄膜的生长，这意味着薄膜的生长实际上是向下扩散至基材中。随着氧化层厚度的增加，氧气向基板的扩散变得更加困难，从而导致厚度约100nm以上的膜的厚度与氧化时间之间呈抛物线关系。该过程自然地限于可以被氧化的材料，并且它只能形成作为该材料的氧化物的膜。这是用于在硅衬底上形成二氧化硅的经典工艺。

MEMS代工中什么时候要使用热氧化？

随时都可以！这是一个简单的过程，不过，该过程产生的膜在MEMS组件中的使用受到一定限制。它通常用于形成薄膜，该薄膜用于电绝缘或稍后在处理顺序中用于其他处理目的。MEMS代工工艺步骤的选择，根据客户实际需求以及工艺工程师的评估为准。

MEMS代工中物理气相沉积（PVD）

PVD涵盖了许多沉积技术，其中材料从源中释放出来并转移到衬底上。两项最重要的技术是蒸发和溅射。MEMS代工中什么时候要使用PVD？PVD包含用于金属沉积的标准技术。对于金属而言，它比CVD更为普遍，因为它可以较低的工艺风险进行，并且就材料成本而言更便宜。薄膜的质量不如CVD，对于金属而言，这意味着更高的电阻率，而对于绝缘体，则意味着更多的缺陷和陷阱。台阶覆盖率也不如CVD在许多情况下，沉积方法（即蒸发与溅射）的选择可能是任意的，并且可能更多地取决于当时适用于特定材料的技术。

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