MEMS代工中沉积的外延

MEMS代工中沉积的外延该技术与CVD工艺非常相似，但是，如果基板是有序的半导体晶体（即硅，砷化镓），则可以通过此工艺继续以与基板相同的晶体学取向在基板上进行构建充当沉积的种子。如果使用非晶/多晶衬底表面，则膜也将是非晶或多晶。

MEMS代工中有几种技术用于创建支持外延生长，其中最重要的是需要在反应器内的条件V APOR P HASE ë pitaxy（VPE）。在外延过程中，将多种气体引入感应加热的反应器中，在该反应器中仅加热基板。基材的温度通常必须至少为待沉积材料熔点的50％。

外延的一个优点是材料的高生长速率，这允许形成具有相当厚度（>100μm）的薄膜。外延是用于在绝缘体（SOI）衬底上生产硅的一种广泛使用的技术。该技术主要用于硅的沉积。下图显示了典型的气相外延反应器的示意图。

那么，在MEMS代工中什么时候要使用外延？

MEMS代工的外延，已经并且将继续成为MEMS中的新兴工艺技术。该工艺可用于形成厚度约为1μm至>100μm的硅膜。一些工艺需要基板的高温暴露，而另一些工艺则不需要基板的大量加热。根据基板的表面，某些工艺甚至可以用来执行选择性沉积。所以，最终决定工艺步骤的还是看客户需求。原位芯片多年的工艺经验和丰富的资源，向客户提供MEMS代工服务，可以满足大部分客户需求。