MEMS代工中的化学气相沉积（CVD）

MEMS代工中的化学气相沉积（CVD）在该过程中，将基板放置在反应器内，向其中供应多种气体。该方法的基本原理是在原料气体之间发生化学反应。该反应的产物是固体材料，其在反应器内部的所有表面上均冷凝。

在MEMS代工和MEMS中的两个最重要的技术CVD是大号流 P ressure CVD（LPCVD）和P lasma Ë增强型CVD（PECVD）。LPCVD工艺可生产出具有极好的厚度和材料特性均匀性的层。该工艺的主要问题是沉积温度高（高于600°C）和相对较慢的沉积速率。由于反应器中的等离子体向气体分子提供了额外的能量，因此PECVD工艺可以在较低的温度（低至300℃）下运行。但是，膜的质量往往不如在较高温度下运行的工艺。其次，大多数PECVD沉积系统一次只能将材料沉积在1到4个晶片上的晶片的一侧。LPCVD系统一次在至少25个晶圆的两面都沉积薄膜。 下图显示了典型的LPCVD反应器的示意图。

我什么时候要使用CVD？

MEMS代工想要具有良好台阶覆盖率的薄膜时，CVD工艺是理想的选择。可以使用此技术沉积多种材料，但是，由于在处理过程中形成的有害副产品，其中一些材料在晶圆厂中不那么受欢迎。材料的质量因工艺而异，但是一个很好的经验法则是，更高的工艺温度可以生产出质量更高，缺陷更少的材料。