MEMS代工中薄膜沉积工艺

MEMS代工处理的基本组成部分之一是沉积材料薄膜的能力。我们假设薄膜的厚度在几纳米到大约100微米之间。随后可以使用“光刻” 和“蚀刻”的方法对薄膜进行局部蚀刻。

MEMS代工中沉积技术可分为两类：

1.由于化学反应而发生的沉积：

·Ç hemical V APOR d eposition（CVD）

·电沉积

·外延

·热氧化

这些方法直接利用气体和/或液体组合物中或与底物材料之间的化学反应来产生固体材料。固体材料通常不是通过反应形成的唯一产物。副产物可能包括气体，液体甚至其他固体。

2.由于物理 反应而发生的沉积：

·P物质环境的V APOR d eposition（PVD）

·铸件

所有这些过程的共同点是，沉积的材料会物理地移动到基板上。换句话说，不存在在基板上形成材料的化学反应。对于铸造工艺，这并不是完全正确的，尽管这样更方便。

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