Micralyne的MEMS加工工艺--刻蚀

Micralyne公司可以提供MEMS加工技术，干蚀刻和湿蚀刻金属沉积、化学气相沉积、电镀、硅片研磨抛光、晶圆键合等关键技术也称为其业务重点。关于MEMS加工中的刻蚀工艺，Micralyne有着自己独特的优势。

MEMS加工--DRIE（深反应离子蚀刻）

·高深宽比（深宽比高达50：1，侧壁角89.5°至89.8°，蚀刻速率高达16 µm / min，蚀刻深度<1μm至> 1000 µm）

·正剖面和各向同性蚀刻

·经验证的热敏膜或镜面释放蚀刻工艺

·晶圆蚀刻的丰富经验

·真空胶带粘结，用于晶圆蚀刻

图片源自Micralyne

MEMS加工--RIE –（反应离子蚀刻）

·硅，石英，氧化物，氮化物，多晶硅，氮氧化物，Ti，TiW，Nb

·KOH / TMAH掩模蚀刻层的晶圆边缘保护

·深沟槽氧化物刻蚀（用于去除硅沟槽底部的氧化物，长宽比高达10：1）

 图片源自Micralyne

MEMS加工--湿蚀刻-金属/玻璃

·硅各向同性蚀刻（目标的深度控制为±〜3 µm）

·从0.4 µm到300 µm的玻璃各向同性蚀刻（16 µm蚀刻的深度控制为±0.2 µm，玻璃CD：90 µm±3 µm）

·HF氧化物牺牲蚀刻

·Lift-off

·薄膜蚀刻（金属和电介质）

·标准湿洗工艺（酸，碱和溶剂）

·先进的湿法工艺，例如旋转蚀刻机，兆频超声和循环浴

·临界点干燥机

苏州原位芯片可以提供MEMS加工刻蚀业务。