IMT的MEMS加工--晶圆键合与TSV

MEMS加工中往往会遇到键合和TSV通孔的需求，我们一起看看IMT可以为客户提供这些MEMS加工的具体内容是哪些。

MEMS加工---晶圆键合

晶圆键合是晶圆级密封包装或创建3-D微流控设备所需的关键功能。IMT的键合使气密和真空晶圆级封装可以降低后处理芯片级封装的成本，并提高MEMS的性能和可靠性。在IMT生产的所有晶圆中，有超过50％是晶圆粘合的。

特定能力

IMT会根据客户的需求紧密合作，以确定包括以下内容的绑定方法：

·Au-Au热压

·玻璃料

·阳极的

·融合

·金属合金（低温）

·聚合物

图片源自IMT

根据键合方法和气密性要求，功能包括：

·使用吸气剂的Sub-1 mTorr高真空粘结

·生产中的气密性> 99％–通过探测板载热敏电阻验证了气密性

·真空，大气压或具有独特气体的分压

聚合物键合：

尽管不是密封的，但聚合物键合可用于制造微流体，从而形成流体通道。通常，可以结合使用多种粘合方法以获得所需的最终包装。除了密封性要求外，其他注意事项还包括：

·设计/设备占地面积

·温度预算

·所用材料

·最终包装和环境要求

粘接后，保护晶圆不受环境影响，并保护易碎的MEMS结构。这些晶片可以通过芯片分割和芯片级封装而继续前进。

MEMS加工---通过硅通孔（TSV）和中介层

硅通孔（TSV）代表了未来的关键技术，因为它们是实现大规模3D集成的关键推动力。因为它们允许电信号通过基板，所以它们使设备尺寸更小，信号路径更短。IMT与TSV已有多年合作，如今生产的产品中每个晶片有将近14万个密封金属填充的TSV。IMT的客户使用TSV来降低路由复杂性，并在保持或在某些情况下缩小占地面积的同时提高集成度。

 图片源自IMT

MEMS加工---TSV

铜TSV可以极大地改善电气性能，这是RF世界特别要求的。IMT的铜TSV技术可提供：

·每个通孔的直流电阻小于0.01欧姆

·6 GHz时-0.01 dB的插入损耗

·直径15 µm x深度50 µm

·直径50 µm x深度250 µm

根据您产品的特定设计要求，IMT的TSV平台为优化您的定制解决方案提供了基础。

MEMS加工---MEMS Si中介层

MEMS Si中介层是用于3D集成和晶圆级封装的多层PCB的下一步，可在非常小的占位面积上实现电连接。

插入器可能包含复杂的电气路径和电路，这些电路和电路会重新路由和/或重新表征来自微型设备的信号，进而与其他组件或整个系统连接。与传统PCB相比，线条和空间减少了10倍。