微纳加工之硬掩膜版

在微纳加工中，刻蚀工艺有很多种，其中干法刻蚀中掩膜版是常见的工艺之一。掩膜版也分软掩膜和硬掩膜。两者主要在获得方式、成本、耐温性和是否变形上有着一定的差异。

微纳加工中Chemical Vapor Deposition是生成无机薄膜的主要材料，最后形成硬掩膜。其主要成分通常有TiN、SiN、SiO2等。在实际操作中，硬掩膜常用在多重光刻中。其主要步骤就是讲多重刻胶图像转移到硬掩模上，然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上。那么，硬掩膜主要在哪些工艺中得到应用呢？

微纳加工中：自对准的双重成像、双线条光刻、双重光刻工艺中的双沟槽光刻技术、三重光刻等都是硬掩膜的主要应用。那么他，它在双沟槽光刻的工艺流程又是如何的呢？我们简单的了解下。

1.硬掩模层(如SiN)被沉积在衬底上。光刻胶材料(PR/BARC)被旋涂在硬掩模之上。

2.第一次光刻之后，在光刻胶上形成沟槽密度为设计时一半的图形，即占空比(沟槽与线条比值)为1:3。

3.采用刻蚀工艺将图形转移到硬掩模层。剥离残余光刻胶之后，做第二次光刻。第二次光刻可以使用不同的光刻材料。第二次光刻的图形，同样通过刻蚀被转移到硬掩模上。

4.把硬掩模上的图形刻蚀到衬底上。