MEMS代工光刻的基板是如何制备的？

MEMS代工中光刻加工的基础是光刻基板的制备。这个基础准备对于大多数人来说是不熟悉的。基材制备是为了改善光致抗蚀剂材料对基材的粘附性。

MEMS代工中光刻加工工艺的基板可以通过以下一种或多种方法来完成：

清洁基材以除去污染物，进行脱水烘烤以除去水以及添加增粘剂。基板污染可以采取颗粒或薄膜的形式，并且可以是有机或无机的。

颗粒导致最终抗蚀剂图案的缺陷，而膜污染会导致较差的粘合性和随后失去的线宽控制。颗粒通常来自空气传播的颗粒或受污染的液体（例如，脏的助粘剂）。控制颗粒物污染的最有效方法是消除其污染源。由于这并不总是可行的，因此使用化学/机械清洁来去除颗粒。有机膜 例如油或聚合物，可能来自真空泵和其他机械，人体油脂和汗液，以及来自先前加工步骤的各种聚合物沉积物。这些膜通常可以通过化学，臭氧或等离子汽提去除。类似地，可以通过化学或等离子体剥离来去除诸如天然氧化物和盐之类的无机膜。一种称为“吸附水”的污染物最容易通过称为“高温”的高温过程去除。脱水烘烤，就是通过在200°C至400°C的温度下烘烤30至60分钟而将水分从基材表面去除的。然后使基材冷却（最好在干燥的环境中）并尽快涂覆。重要的是要注意，如果放置在潮湿（非干燥）的环境中，水会重新吸附在基材表面上。

脱水烘烤还可以有效地挥发有机污染物，从而进一步清洁基材。通常，正常的处理步骤顺序包括紧接在涂覆光致抗蚀剂之前的某种类型的高温处理，例如热氧化。如果在高温步骤之后立即涂覆基材，则可以消除脱水烘烤。但是，典型的脱水烘烤 不能完全去除二氧化硅衬底（包括硅，多晶硅，氧化硅和氮化硅）表面的水。表面硅原子与形成硅醇基（SiOH）的单层水牢固结合。要去除最后一层水，需要烘烤温度超过600°C。此外，当在非干燥环境中冷却基板时，硅烷醇快速重整。由于这种方法是不切实际的，因此除去该硅烷醇的优选方法是通过化学方法。在非干燥环境中冷却基材时，硅烷醇会迅速重整。由于这种方法是不切实际的，因此除去该硅烷醇的优选方法是通过化学方法。当在非干燥环境中冷却基材时，硅烷醇会迅速重整。由于这种方法是不切实际的，因此除去该硅烷醇的优选方法是通过化学方法。

原位芯片提供MEMS代工光刻加工服务，十年代工经验，为客户提供高效的MEMS代工！