NaugaNeedles的干湿法刻蚀

MEMS代工中的湿法和干法蚀刻（RIE，DRIE，离子铣削），NaugaNeedles的深度反应离子刻蚀（硅）：一种4英寸晶圆SPTS DRIE工具，用于使用博世工艺进行各向异性（仅垂直）硅深沟槽刻蚀。该工具具有脉冲板偏压，可最大程度减少氧化物蚀刻停止处的“立足点”。

各向异性硅湿法蚀刻：用于硅基板的KOH和TMAH湿法蚀刻剂。等离子刻蚀：多重反应离子刻蚀（RIE）和基于氧/等离子体的系统，能够提供选择性的硅，SiO2和Si3N4刻蚀以及灰化。使用Trion Phantom III反应离子刻蚀系统：刻蚀机，用于腐蚀使用氟（CHF3，SF6，CF4），氧气和腐蚀性（Cl2和BCl3）化学物质的氮化物，氧化物，聚合物，金属，化合物半导体和其他材料。

氙二氟蚀刻：一种Xactix XeF2系统，用于对容易产生粘滞的硅微结构进行各向同性（垂直和横向）干法蚀刻。HF蒸气释放刻蚀Primaxx®：uEtch HF蒸气刻蚀释放技术用于去除牺牲性氧化硅层，主要用于释放MEMS器件中的硅微结构。

除此之外，键合和其他设备也是用于MEMS代工中，例如烟灰缸基建和，去除材料污点的干燥机以及化学机械抛光系统。

晶圆级键合：一种Suss SB6e，用于晶圆级键合硅/玻璃阳极键合，玻璃/玻璃或金/金热压键合以及Si / Si熔融键合。所有工艺均可与我们相邻的Suss MA6 / BA6掩模对准器进行5微米对准。临界点干燥机：临界点CO2干燥机，用于干燥可以去除污点的基材。化学机械抛光系统：Logitech的化学机械抛光系统用途广泛，设计用于几何精度和表面质量至关重要的抛光应用中。

综上，依托公司自有设备进行MEMS代工，其特点就是代工灵活度高，成本可控。但是，部分企业在设备资金上总是不充足，所以还需要借助工艺平台进行MEMS代工。尤其在国内，光刻设备、镀膜设备都是无法一步到位购买，在成本上会比较高。