MEMS代工--金属沉积影响键合

MEMS代工中金属沉积是影响键合效果的原因之一。金属沉积一般厚度在三至五微米，与玻璃浆料键合的时候厚度可达三十至一百五十微米。电镀、化学气相沉积、溅射等是产生沉积的方法。溅射和蒸发对厚度有所要求，且沉积速度很慢，费用较高。金属层纯度越高，反应速率越快。

金属的表面氧化作用也会阻碍界面反应，并且导致电特性很差。在对准和键合前进行表面处理能够帮助去除这些反应层。金属键合的最大优势是能够直接转入垂直封装。3D封装可以显著降低生产成本。金属系的选择取决于温度的限制，材料的兼容性，以及界面要求：如导电性、光学反射率、厚度均匀性等。建议在惰性气氛中进行金属键合，以便传热和保证热均匀性，抑制氧化并且保持腔室洁净。高级金属键合需要精确的对准和键合设备。

键合在MEMS产业中已经应用了十多年的时间，有能力的MEMS代工公司也是可以独自完成键合工艺的。对于整个产业来说，简历键合规范、设定气密性、键合强度、缺陷检测等是非常有必要的。高级CMP工艺、硅垂直深孔刻蚀、金属填充互联技术的发展将促使CMOS工业继续进步。MEMS和CMOS生产制造技术的融合已经变革了整个市场。向金属键合技术转变，满足了工业生产和薄晶圆片处理的需要，促进了MEMS在消费市场的快速成长。