在涂布光阻剂之前，先把硅片进行处理，经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物；

将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅片被吸在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转；

也称前烘。在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来；

光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中;

经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中；

也称坚膜。显影后，硅片还要经过一个高温处理过程，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力；

刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶。