纳米光刻加工之电子束光刻

光学光刻加工（或光刻）是纳米光刻领域最重要和最流行的技术之一。光刻加工包含几种重要的衍生技术，所有这些技术都使用非常短的光波长来改变某些分子的溶解度，使它们在溶液中被冲走，留下所需的结构。几种光学光刻技术需要使用液体浸渍和一系列分辨率增强技术，如相移掩模(PSM) 和光学邻近校正(OPC)。该系列中包含的一些技术包括多光子光刻、X 射线光刻、光耦合纳米光刻 (LCM) 和极紫外光刻(EUVL)。最后一项技术被认为是最重要的下一代光刻(NGL) 技术，因为它能够精确地生产低于 30 纳米的结构。

光刻加工 TSMC极紫外光刻 5nm

电子束光刻

电子束光刻 (EBL) 或电子束直写光刻 (EBDW)在覆盖有电子敏感膜或抗蚀剂（例如PMMA或HSQ）的表面上扫描聚焦电子束以绘制自定义形状，是常见的光刻加工工艺。通过改变抗蚀剂的溶解度并随后通过浸入溶剂中选择性去除材料，已经实现了亚 10 nm 的分辨率。这种直接写入、无掩模光刻的形式具有高分辨率和低吞吐量，将单列电子束限制为光掩模制造、半导体器件的小批量生产和研发。多电子束方法 以提高半导体批量生产的产量为目标。

原位芯片提供光刻加工、EBL代加工，可用于固体基质上的选择性蛋白质纳米图案化，旨在实现超灵敏传感。